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ミストCVD成膜技術の産業応用

2019-02-06 公開
(株)FLOSFIA
FLOSFIA INC.
代表取締役 人羅 俊実
Hitora Toshimi

【人羅 俊実】
1975年兵庫県西宮市生まれ。洛南高校卒業。
1998年京都大学応用生物修士、2000年奈良先端バイオサイエンス分子発生生物学修士。
2005年ALGAN株式会社代表取締役就任、GaN半導体センサ事業に関わる。
2012年6月、当社代表取締役就任。

【株式会社FLOSFIA 概要】
設 立 :2011年3月31日
資本金 :2,258,569,700円
株 主 :経営陣、VC等
所在地 :京都府京都市西京区御陵大原1番36号 京大桂ベンチャープラザ北館
事業内容:ミストCVDを用いた半導体材料・素子等の開発・製造・販売
※2019/2/7更新



ミストCVD成膜技術の産業応用

次世代パワーデバイスの開発でエネルギー効率を改善



人羅俊実氏がJapan Venture Award 2019にて経済産業大臣賞を受賞されました!

人羅氏は2/15開催 京都インデペンデンツクラブに登壇されます。


■ ミストCVDで超高効率な次世代パワ-デバイスを
 私どもは、現在主流のシリコン製デバイスに代わる次世代パワーデバイスの開発によって、エネルギーの低損失化、小型化、低コスト化にチャレンジしています。
 すでに、京都大学との共同研究によるミストCVD技術を用いて、直径4インチのサファイア基板上にα-Ga2O3(α-酸化ガリウム)薄膜を形成することに成功、現在次世代パワーデバイスの新材料として注目されているGaN(窒化カリウム)を上回る高品質を達成しました。さらに独自に絶縁膜を形成し、半導体デバイスの試作にも取り組んでいます。知的財産については、Ga2O3およびミストCVD法に関する基本材料技術を出願済み(うち4件は権利化、2件は日欧米中に出願済み)です。

■ 画期的な成膜技術、ミストCVDとは
①原材料溶液を何らかの手法で霧状(ミスト)にし、
②キャリアガスによって反応部に運び、
③大気圧下で熱分解により成膜反応をおこさせる、
という手法で、安全で安価なプロセスコスト、省エネルギーで環境負荷が小さい画期的な成膜技術です(共同研究:京都大学・藤田静雄研究室)。

■ ミストCVDの応用展開へ
ミストCVDによって金属・有機材料表面上に耐食性や電気伝導性の制御など様々な機能を持った酸化膜を形成することで、材料の機能性を高めることができます。また、被成膜物の制約が極めて少ないため、液晶・太陽電池等で利用される大型ガラス板やフィルタなどの立体構造物への成膜も可能で、それぞれの業界に合った技術提案を積極的に進めてまいります。

<発表者からのコメント>
設立以来、コア技術であるミストCVD法を活用した様々な事業化を進めておりましたが、2012年に私が経営を引き継いだのを機に、半導体事業に軸足を置いた事業に大きく方向転換いたしました。今年7月には社名を変更、様々な智慧・叡智(sophia)が流れ(flow)込み、その智慧・叡智(sophia)を更に磨きあげて、社会に流し戻して(flow)人々の生活に貢献する会社でありたい、そんな思いを込めて「FLOSFIA」という会社名にいたしました。これからも、グリーン且つクリーンな技術を用いてイノベーションを誘発し、世界中の省エネに貢献できる革新的な技術や製品をつくりだしていきたいと願っています。

(2014.11.7作成 ※作成時点での情報です)

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